Главная Каталог Наука и нанотехнологии Электронные микроскопы Двухлучевые электронные микроскопы Микроскоп Helios 5 DualBeam

Двухлучевые электронные микроскопы

Микроскоп Helios 5 DualBeam

Thermo Fisher Scientific Inc.

Микроскоп сочетает передовые технологии FIB-обработки с интеллектуальными системами автоматизации, обеспечивая надежную основу для развития следующих поколений электронных устройств.

Заказать Задать вопрос специалисту

Описание оборудования

Система Helios 5 DualBeam представляет собой качественный скачок в технологии FIB-SEM, предлагая исследователям беспрецедентные возможности для работы с современными материалами. В отличие от традиционных решений, эта платформа интегрирует три ключевых аспекта современной микроскопии: предельное разрешение, интеллектуальную автоматизацию и комплексный анализ.

Особенности Helios 5 DualBeam

1. Простота использования

Сокращение времени обучения с месяцев до дней
Стабильные и воспроизводимые результаты даже для сложных применений
Интуитивный интерфейс для пользователей любого уровня подготовки

2. Повышенная производительность

Расширенная автоматизация (включая ПО AutoTEM 5)
Непрерывная работа (включая ночные сессии)
Улучшенная стабильность системы

3. Технология FLASH – автоматическая настройка изображения одним движением

Исключает необходимость ручной юстировки
Повышает скорость и качество данных
Упрощает получение высококачественных изображений

Система Helios 5 DualBeam представляет собой пятое поколение ведущего в отрасли семейства Helios DualBeam, разработанное специально для решения исследовательских и инженерных задач. Уникальная комбинация инновационной электронной колонны Elstar, обеспечивающей сверхвысокое разрешение и превосходный контраст материалов, с усовершенствованной ионной колонной Tomahawk позволяет проводить быструю, простую и точную подготовку высококачественных образцов.

Помимо передовой электронной и ионной оптики, Helios 5 DualBeam оснащен комплексом современных технологий, которые обеспечивают:

Стабильную подготовку образцов для (S)TEM и атомно-зондовой томографии (APT) с высочайшим разрешением
Качественную подповерхностную и 3D-характеризацию
Работу с наиболее сложными образцами, включая чувствительные и гетерогенные материалы

Система поддерживает полный цикл исследований - от начальной подготовки образца до получения окончательных результатов, предоставляя исследователям беспрецедентные возможности для анализа на атомарном уровне. Благодаря оптимизированным рабочим процессам Helios 5 DualBeam значительно сокращает время подготовки образцов без ущерба для качества, что особенно важно при работе с современными функциональными материалами и наноструктурами.

Ключевые особенности системы Helios 5 DualBeam

Прецизионная подготовка образцов
Полная автоматизация процессов
Максимальная скорость анализа
Передовые технологии визуализации
Расширенные возможности 3D-анализа
Наноразмерное прототипирование
Точная навигация по образцу
Чистое изображение без артефактов
Возможности STEM-визуализации

Возможные применения

Контроль технологических процессов: сканирующие (SEM) и просвечивающие (TEM) электронные микроскопы с автоматизированным ПО обеспечивают оперативный многоуровневый мониторинг для совершенствования технологий
Контроль качества и анализ дефектов: данные решения в области электронной микроскопии и спектроскопии позволяют проводить комплексный анализ дефектов на различных масштабах, обеспечивая надежную основу для принятия решений по оптимизации процессов
Фундаментальные исследования материалов: электронная микроскопия дает исследователям ключевые данные о физико-химических свойствах материалов в микро- и нанодиапазоне
Специализированные решения для полупроводниковой отрасли: анализ структур и материалов на атомарном уровне; точный контроль технологических процессов для повышения выхода годных изделий; выявление и исследование дефектов в сложных структурах; комплексный анализ физических, структурных и химических свойств материалов; исследование новых архитектур и материалов, выявление дефектов интерфейсов; анализ качества дисплеев и эффективности преобразования света

Применяемые методики

Подготовка образцов для (S)TEM
3D-характеризация материалов
Наноразмерное прототипирование
Подготовка образцов для АЗТ (APT)
Получение изображений поперечных сечений образцов
In-situ эксперименты
Многоуровневый анализ
Редактирование микросхем (Circuit Edit)
TEM-визуализация и анализ
Подготовка полупроводниковых образцов
SEM-метрология (контроль технологических процессов)
Анализ микросхем устройств по слоям

Преимущества

Автоматизированная подготовка ультратонких образцов для ПЭМ высокого качества
Высокопроизводительный анализ подповерхностных структур и 3D-характеризация с высоким разрешением
Быстрое прототипирование наноразмерных структур

Особенности

Высокое разрешение и контраст материалов
Быстрая и точная подготовка образцов для: (S)TEM-визуализации, атомно-зондовой томографии (APT), 3D-характеризации подповерхностных структур
Гибкость рабочих процессов (ручные и автоматизированные методики)

Основные характеристики

Технические характеристики для полупроводниковой промышленности

		Helios 5 CX	Helios 5 HP	Helios 5 UX	Helios 5 HX	Helios 5 FX
		Универсальный прибор для получения изображений SEM с высоким разрешением		Оптимальная подготовка образцов (TEM ламели, APT)		Получение изображений и подготовка образцов с разрешением на уровне ангстрем
SEM / СЭМ	Разрешение	20 эВ – 30 кэВ		20 эВ – 30 кэВ
	Энергия	0.6 нм @ 15 кэВ		0.6 нм @ 2 кэВ
		1.0 нм @ 1 кэВ		0.7 нм @ 1 кэВ
				1.0 нм @ 500 эВ
STEM / СТПЭМ	Разрешение @ 30 кэВ	0.7 нм		0.6 нм		0.3 нм
Подготовка FIB	Макс. удаление материала	100 нА		65 нА
	Оптимальная полировка	2 кВ		500 В
Подготовка образцов для TEM / ПЭМ	Толщина образца	50 нм	15 нм	7 нм
	Автоматизация	Нет	Да	Да
Обработка образцов	Рабочая зона	110 × 110 × 65 мм	100 × 100 × 65 мм	150 × 150 × 10 мм	100 × 100 × 20 мм	100 × 100 × 20 мм
	Загрузочный шлюз	Ручной Quickloader	Автоматизированный	Ручной Quickloader	Автоматизированный	Авто + автоматическая вставка/извлечение STEM стержня

Технические характеристики для материаловедения

		Helios 5 CX	Helios 5 UC	Helios 5 UX
Ионная часть оптической системы		Ионная колонна Tomahawk HT с превосходными характеристиками при высоких токах		Ионная колонна Phoenix с превосходными характеристиками при высоких токах и низких напряжениях
	Диапазон тока ионного пучка	1 пА – 100 нА		1 пА – 65 нА
	Диапазон ускоряющего напряжения	500 В – 30 кВ
	Макс. ширина горизонтального поля	0.9 мм в точке совпадения пучков		0.7 мм в точке совпадения пучков
	Минимальный срок службы источника	1,000 часов
		Двухступенчатая дифференциальная откачка; Коррекция времени пролёта (TOF); Апертурная полоса с 15 позициями
Электронная часть оптической системы		Колонна SEM Elstar с автоэмиссионным катодом сверхвысокого разрешения
		Иммерсионный магнитный объектив
		Высокостабильный автоэмиссионный катод Шоттки для обеспечения стабильных аналитических токов высокого разрешения
Разрешение электронного пучка	При оптимальном расстоянии (WD)	0.6 нм при 30 кВ STEM 0.6 нм при 15 кВ 1.0 нм при 1 кВ 0.9 нм при 1 кВ с торможением пучка*	0.6 нм при 30 кВ STEM 0.7 нм при 1 кВ 1.0 нм при 500 В (ICD)
	В точке фокусировки	0.6 нм при 15 кВ 1.5 нм при 1 кВ с торможением пучка* и DBS*	0.6 нм при 15 кВ 1.2 нм при 1 кВ
Параметры электронного пучка	Диапазон тока	0.8 пА до 176 нА	0.8 пА до 100 нА
	Диапазон ускоряющего напряжения	200 В – 30 кВ	350 В – 30 кВ
	Диапазон энергии посадки	20 эВ – 30 кэВ	20 эВ – 30 кэВ
	Макс. ширина горизонтального поля	2.3 мм при WD 4 мм	2.3 мм при WD 4 мм
Детекторы		Встроенный детектор SE/BSE Elstar (TLD-SE, TLD-BSE)
		Встроенный детектор SE/BSE Elstar (ICD)*
		Встроенный детектор BSE Elstar (MD)*
		Детектор SE Everhart-Thornley (ETD)
		ИК-камера для наблюдения за образцом/колонной
		Высокопроизводительный детектор в камере (ICE) для SI и SE*
		Камера Thermo Scientific Nav-Cam*
		Выдвижной низковольтный детектор BSE (DBS)*
		Выдвижной детектор STEM 3+ (BF/DF/HAADF)*
		Интегрированное измерение тока пучка
Предметный столик и образец	Столик	Гибкий 5-осевой моторный столик	Высокоточный 5-осевой моторный столик с пьезоприводом XYR
	Диапазон XY	110 мм	150 мм
	Диапазон Z	65 мм	10 мм
	Вращение	360° (непрерывное)	360° (непрерывное)
	Диапазон наклона	-15° до +90°	-10° до +60°
	Макс. высота образца	85 мм	55 мм
	Макс. вес образца	500 г (в любом положении) До 5 кг при 0° (с ограничениями)	500 г (включая держатель)
	Макс. размер образца	110 мм при полном вращении (возможна работа с большими образцами)	150 мм при полном вращении (возможна работа с большими образцами)
		Компьютеризированное управление вращением и наклоном

Узнать стоимость

Области применения

Все области применения

Металлургия

Геология

Криминалистика

Фармацевтическая промышленность

Экология

Похожее оборудование

Микроскоп Aquilos 2 Cryo-FIB

Специализированная система для приготовления ультратонких, электронно-прозрачных срезов.

Микроскоп Arctis Cryo-Plasma-FIB

Специализированная система для автоматизированного высокопроизводительного получения крио-срезов из витрифицированных клеток.

Микроскоп ExSolve WTP DualBeam

Микроскоп обеспечивает комплексное исследование образцов – от тканей до белковых комплексов – с сохранением их естественного состояния.

Микроскоп Helios 5 EXL DualBeam

Сочетает передовые технологии FIB-обработки с интеллектуальными системами автоматизации, обеспечивая надежную основу для развития следующих поколений электронных устройств.

Микроскоп Helios 5 PFIB DualBeam

Сканирующий электронный микроскоп с фокусированным ионным пучком (Plasma FIB-SEM) для подготовки TEM-образцов, включая 3D-характеризацию, анализ поперечных сечений, микрообработку.

Микроскоп Helios 5 PFIB Laser

Универсальный многофункциональный микроскоп, поддерживающий работу с четырьмя видами ионов (аргон, азот, кислород и ксенон), что позволяет подбирать оптимальные ионы для каждого исследования.

Микроскоп Helios 6 HD FIB-SEM

Микроскоп устанавливает новые стандарты в области подготовки образцов, обеспечивая исследователей и промышленность надежными инструментами для решения самых сложных аналитических задач.

Микроскоп Helios 6 HX FIB-SEM

Передовое решение для автоматизированной подготовки образцов для просвечивающей электронной микроскопии, сочетающее высочайшую точность с лучшей производительностью.

Микроскоп Helios 6 HXS FIB-SEM

Высокотехнологичное решение для серийной подготовки образцов в полупроводниковой промышленности, обеспечивающее беспрецедентный уровень автоматизации и точности.

Микроскоп Helios Hydra 5 PFIB-SEM

Универсальный многофункциональный микроскоп, поддерживающие работу с четырьмя видами ионов (аргон, азот, кислород и ксенон), что позволяет подбирать оптимальные ионы для каждого исследования.

Микроскоп Helios Hydra 5+ PFIB-SEM

Усовершенствованная система плазменной ионной микроскопии с повышенной на 50% мощностью ионного пучка (до 3.75 мкА для Xe) и ультранизким 100 эВ электронным пучком.